闪迪首破千元、美光再创新高：存储芯片涨价逻辑加速兑现
AI播客
美股存储概念股因AI算力需求激增、高盛上调存储芯片价格预期及供需缺口扩大而上涨。高盛将2026年DRAM和NAND价格涨幅预期大幅上调，并预计供应短缺将持续至2027年后，主要由于AI服务器需求强劲及HBM优先占用先进制程产线，导致传统DRAM和NAND有效供给减少。AI推理需求的爆发推动企业级SSD成为NAND最大应用市场。多家机构上调闪迪和美光目标价，闪迪受益于企业级SSD占比较高，美光则布局HBM与传统DRAM。然而，存储芯片价格已处高位，若下半年需求减弱或产能超预期释放，涨幅可能收窄。二季度DRAM和NAND合约价预计环比上涨35%-65%。闪迪财报将关注毛利率改善及定价指引，警惕库存周转天数上升。
高盛大幅上修存储芯片价格预期
高盛4月23日发布一份重磅研报，该研报把2026年DRAM价格涨幅从1月预计的约150%上调至250%-280%，NAND涨幅也由约100%上调至200%-250%，同时否定了此前关于2027年供需恢复平衡的看法，指出存储紧缺可能会持续到2027年之后。
高盛指出，2026年DRAM供需缺口预计达4.9%，为过去15年来最严重的供应短缺。
供给紧张主要因为AI服务器需求大，行业新增产能有限，而且HBM优先占用先进制程产线。三大存储厂商已将大量DRAM产能转移至HBM，造成传统DRAM和NAND有效供给减少。
而晶圆厂建设周期长达5年左右，2026年海外存储大厂只进行少量扩产项目，新增产能大部分要等到2027年下半年才能释放。2026-2027年DRAM和NAND将持续存在供需缺口。
集邦咨询数据表明，一季度常规DRAM合约价从年初预估的55%-60%逐步上调到90%-95%，NAND从33%-38%上调到55%-60%。价格预期的大幅上调，主要因为AI推理需求出现了结构性爆发。
AI推理驱动需求结构性爆发
AI发展的重心正从“训练模型”转向“使用模型”，这彻底改变了存储市场的需求结构。推理阶段Token消耗激增，KV Cache（键值缓存）的需求随之成倍放大，而单靠昂贵的DRAM无法满足存储KV Cache的需求，于是企业级SSD就要扮演“二级内存”的角色来代替DRAM。
TrendForce预计，企业级SSD会变成NAND最大的应用市场，AI服务器出货量占比会达到20%以上。摩根大通（JPM）指出，NAND未来三年市场规模年增长率会由过去的10%上升到34%，明显超过历史周期。
机构密集上调目标价，受益龙头分化明显
多家机构在财报前夕集中上调目标价。摩根士丹利（MS）将闪迪目标价从690美元大幅上调至1100美元，维持“增持”，称NAND定价动能持续、AI与企业级SSD需求强劲。
Cantor Fitzgerald将闪迪目标价上调至1400美元。Evercore ISI给予1200美元目标价，牛市情景看至2600美元，为华尔街最高。
美光获Melius Research首次覆盖，给予“买入”评级及700美元目标价，分析师认为AI驱动的内存周期将推动长期需求。KeyBanc维持600美元目标价。
美银分析师指出，传统DRAM的高盈利使存储巨头把更多产能从HBM转移到传统DRAM，这会延长供需偏紧周期，存储投资逻辑由AI溢价转向传统供给短缺。
综合来看，闪迪由于企业级SSD占比较高，成为AI推理需求直接受益的标的，美光在HBM和传统DRAM两条线上进行布局，弹性较大但估值溢价也较高。
高价风险与财报风向标
存储芯片价格已处于历史高位，若下半年终端市场需求减少或产能释放超过预期，价格涨幅可能收窄。目前PC和智能手机厂商已经通过提高零售价格来转嫁成本，这会反过来抑制需求。此外，以QLC NAND渗透率提升为代表的技术替代也对传统定价模式带来长期压力。
高盛在进行情景分析时提出了三种概率路径，基准情景（概率50%）下，如果产能逐步释放，供需缺口会缓慢弥合。在看涨情景（概率30%）下，如果AI需求一直超出预期并且供给受限，涨价的空间会进一步扩大。下行情景（概率20%）下，如果全球经济出现放缓或者技术替代速度加快，涨价周期可能会提前结束。二季度市场普遍预期DRAM和NAND合约价环比涨幅仍将维持在35%至65%区间。
闪迪将于4月30日盘后公布财报，观察重点在于毛利率是否持续改善、定价指引是否可以维持在较高水平，这主要判断涨价趋势在短期内难以发生逆转。应当警惕的反向信号是库存周转天数，该数据若意外上升，说明终端需求可能出现松动。
