SK Hynix được cho là đang cân nhắc chip cơ sở HBM4E của Intel, nhằm giảm sự phụ thuộc vào TSMC
SK Hynix đang cân nhắc hợp tác với mảng gia công chip của Intel để sản xuất một phần die đế HBM4E nhằm mở rộng nguồn cung và giảm chi phí. Kế hoạch này vẫn đang trong quá trình đánh giá và chưa chốt phạm vi hay lộ trình. Thay vì chuyển đổi hoàn toàn, SK Hynix có thể sử dụng đồng thời cả TSMC và Intel từ dòng HBM4E. Đồng thời, công ty cũng đánh giá các công nghệ đóng gói tiên tiến từ hai bên. Thỏa thuận này, nếu đạt được, sẽ giúp Intel gia nhập chuỗi cung ứng HBM và đưa SK Hynix tiến tới mô hình đa nhà cung cấp.

TradingKey - Theo các báo cáo truyền thông mới nhất từ Hàn Quốc, SK Hynix (SKHY) đang cân nhắc hợp tác với mảng gia công chip của Intel (INTC) để giao một phần sản lượng sản xuất die đế HBM4E thế hệ tiếp theo cho Intel nhằm mở rộng nguồn cung. Kế hoạch liên quan hiện vẫn đang trong quá trình đánh giá, và hai bên vẫn chưa chốt phạm vi cũng như lộ trình hợp tác cụ thể.
Die đế HBM nằm ở phần dưới cùng của chip DRAM nhiều lớp, chủ yếu chịu trách nhiệm kết nối HBM với các bộ xử lý như GPU, đồng thời đảm nhận chức năng truyền dữ liệu và điều khiển. Khi hiệu suất HBM tiếp tục cải thiện, tầm quan trọng của die đế cũng tăng lên đáng kể. Die đế HBM3E trước đây của SK Hynix chủ yếu sử dụng quy trình nội bộ của hãng, nhưng bắt đầu từ HBM4, công ty đã chuyển sang các tiến trình logic tiên tiến của TSMC (TSM).
Hiện tại, die đế của sản phẩm HBM4 thuộc SK Hynix sử dụng tiến trình phân khúc 12nm của TSMC. Truyền thông Hàn Quốc dẫn ước tính từ ngành bán dẫn cho biết chi phí cho die đế HBM4 do TSMC sản xuất có thể cao gấp ba đến bốn lần so với die DRAM cốt lõi. Khi HBM4E bước vào giai đoạn chuẩn bị sản xuất quy mô lớn, SK Hynix đang tìm kiếm thêm các lựa chọn gia công chip nhằm giảm chi phí sản xuất và tăng cường tính ổn định của chuỗi cung ứng.
Theo các báo cáo, SK Hynix có thể áp dụng đồng thời hai nhà cung cấp là TSMC và Intel để sản xuất die đế bắt đầu từ dòng HBM4E trong tương lai, thay vì chuyển đổi hoàn toàn từ TSMC sang Intel. Ngoài ra, công ty cũng đang đánh giá các công nghệ đóng gói tiên tiến từ cả hai phía, bao gồm CoWoS-S và CoWoS-L của TSMC cũng như EMIB của Intel.
SK Hynix đã đẩy nhanh tiến độ phát triển các sản phẩm HBM4E của mình. Vào tháng 6 năm nay, công ty đã công bố việc gửi các mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng chủ chốt, với sản phẩm đạt tốc độ truyền dữ liệu tối đa 16Gbps và hiệu suất năng lượng cải thiện hơn 20% so với thế hệ trước, đồng thời lên kế hoạch thúc đẩy quá trình sản xuất quy mô lớn tiếp theo cùng các khách hàng.
Nếu hợp tác cuối cùng đạt được, đây sẽ là bước tiến quan trọng đối với mảng gia công chip của Intel trong việc gia nhập chuỗi cung ứng HBM thế hệ tiếp theo. Điều này cũng ngụ ý rằng chuỗi cung ứng HBM của SK Hynix có thể dần chuyển từ sự phụ thuộc chủ yếu vào TSMC hiện tại sang mô hình đa nhà cung cấp. Tuy nhiên, SK Hynix và Intel vẫn chưa chính thức công bố thỏa thuận gia công chip cho die đế HBM4E và các phương án sản xuất cụ thể vẫn cần được xác nhận thêm.
Nội dung này được dịch bằng trí tuệ nhân tạo và đã được hiệu đính cho dễ hiểu hơn. Chỉ mang tính chất tham khảo.
Bài viết đề xuất













Bình luận (0)
Nhấn vào nút $ , nhập ký hiệu, và chọn để liên kết với một cổ phiếu, ETF, hoặc mã khác.