SK Hynix được cho là đang cân nhắc chip cơ sở HBM4E của Intel, nhằm giảm sự phụ thuộc vào TSMC

Bài viết này đã được cập nhật sau những thay đổi do Korea Herald thực hiện.

TradingKey - Theo một báo cáo của Korea Herald, SK Hynix (SKHY) đang cân nhắc hợp tác với mảng kinh doanh foundry của Intel (INTC), theo đó có thể giao một phần hoạt động sản xuất base die cho HBM4E thế hệ tiếp theo cho Intel nhằm đa dạng hóa nguồn cung. Kế hoạch liên quan hiện vẫn đang trong quá trình đánh giá và hai bên vẫn chưa chốt phạm vi cũng như thời gian cụ thể của hợp tác.

HBM base die nằm ở phần dưới cùng của cấu trúc nhiều lớp DRAM, chủ yếu chịu trách nhiệm kết nối HBM với các bộ xử lý như GPU, đồng thời đảm nhiệm chức năng truyền dữ liệu và điều khiển. Khi hiệu năng của HBM tiếp tục được nâng cao, tầm quan trọng của base die cũng tăng lên đáng kể. Trước đây, base die của HBM3E do SK Hynix sản xuất chủ yếu sử dụng quy trình nội bộ của công ty, nhưng bắt đầu từ HBM4, hãng đã chuyển sang sử dụng các quy trình logic tiên tiến của TSMC (TSM).

Hiện tại, base die trong sản phẩm HBM4 của SK Hynix sử dụng quy trình thuộc lớp 12nm của TSMC. Truyền thông Hàn Quốc dẫn ước tính trong ngành cho biết chi phí sản xuất base die HBM4 tại TSMC có thể cao gấp 3 đến 4 lần so với chi phí của core DRAM die. Trong bối cảnh HBM4E bước vào giai đoạn chuẩn bị cho sản xuất hàng loạt, SK Hynix đang tìm kiếm thêm các lựa chọn foundry nhằm giảm chi phí sản xuất và tăng cường tính ổn định của chuỗi cung ứng.

Theo các báo cáo, trong tương lai SK Hynix có thể sử dụng đồng thời hai nhà cung cấp là TSMC và Intel để sản xuất base die bắt đầu từ HBM4E, thay vì chuyển hoàn toàn từ TSMC sang Intel. Ngoài ra, công ty cũng đang đánh giá các công nghệ đóng gói tiên tiến của cả hai bên, bao gồm CoWoS-S và CoWoS-L của TSMC cũng như EMIB của Intel.

Tuy nhiên, trước thông tin do Korea Herald đăng tải, SK Hynix cho biết công ty không thể xác nhận các chi tiết cụ thể trong lộ trình công nghệ của mình. SK Hynix nói với Korea Herald rằng: “Chưa có bất kỳ cuộc thảo luận nào về việc thuê Intel sản xuất base die HBM4E.”

SK Hynix cũng đang đẩy nhanh quá trình phát triển sản phẩm HBM4E. Vào tháng 6 năm nay, công ty thông báo đã giao các mẫu HBM4E 12 lớp cho những khách hàng chủ chốt. Sản phẩm này đạt tốc độ truyền dữ liệu tối đa 16Gbps và cải thiện hiệu suất năng lượng hơn 20% so với thế hệ trước. Công ty đồng thời có kế hoạch tiếp tục thúc đẩy quá trình sản xuất hàng loạt cùng với khách hàng.

Nếu hai bên cuối cùng đạt được thỏa thuận hợp tác, đây sẽ là một bước tiến đáng kể đối với mảng kinh doanh foundry của Intel trong việc thâm nhập chuỗi cung ứng HBM thế hệ tiếp theo. Điều này cũng đồng nghĩa chuỗi cung ứng HBM của SK Hynix có thể dần chuyển từ mô hình hiện nay chủ yếu phụ thuộc vào TSMC sang mô hình sử dụng nhiều nhà cung cấp.

Tuy nhiên, cho đến nay SK Hynix và Intel vẫn chưa chính thức công bố bất kỳ thỏa thuận foundry nào liên quan đến base die HBM4E, và các phương án sản xuất cụ thể vẫn cần được xác nhận thêm.