USD0.000āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ  (ET)
26.26BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
106.72P/E TTM
TSEM āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāđāļēāļāļķāļāļāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ Tower Semiconductor Ltd āđāļāđ āđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĄāļąāđāļāļāļāđāļĨāļ°āđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāļ āļēāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļķāđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļđāļāđāļāđāđāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ āđāļāļĒāļĄāļĩāļāļēāļĢāļāļĢāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāđāļ§āļĒāļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļĩāđāđāļĄāđāđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļļāļāļŦāļĄāļļāļāđāļ§āļĩāļĒāļ āđāļāđāļ āļāđāļēāđāļŠāļ·āđāļāļĄāļĢāļēāļāļē āļĨāļđāļāļŦāļāļĩāđ āļŠāļīāļāļāđāļēāļāļāđāļŦāļĨāļ·āļ āđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļāđāļāđāļāļĢāđāļāļāļēāļāļāđāļāļāļĩāđāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĒāļāļāļāļēāļĒāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļŦāđāđāļāđāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĢāļīāļāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļ
Tower Semiconductor Ltd āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāđāđāļāđāļēāđāļ
îTower Semiconductor Ltd āļŠāļĢāđāļēāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļģāļāļ§āļ 395.48M āđāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļķāđāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļāļŦāļĨāļąāļāļāļāļāļāļĢāļīāļĐāļąāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Tower Semiconductor Ltd āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢāđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļĢāļēāļĒāļāļĩ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ Tower Semiconductor Ltd āđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ -11.86% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāđāļŠāļāļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāđāļāļŦāļĢāļ·āļāđāļāđāļĢāļąāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļĩāđāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļ āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĒāđāļāļīāļāļĨāļāļāļļāļ āļāļēāļĢāđāļāđāļēāļāļ·āđāļāļāļīāļāļāļēāļĢ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļģāļŦāļāđāļēāļĒāļŠāļīāļāļāļĢāļąāļāļĒāđ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļĨāļāļāļļāļāļāļĩāđāļāļīāļāļĨāļāđāļĄāđāđāļāđāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĩāđāļŠāļĄāļāđāļ āđāļāļĢāļēāļ°āļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāđāļāļ·āđāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāđāļāļāļāļēāļāļ āļāļĒāđāļēāļāđāļĢāļāđāļāļēāļĄ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļ§āđāļēāļāļēāļĢāļĨāļāļāļļāļāļāļąāļāļāļĨāđāļēāļ§āļāļ°āļāđāļ§āļĒāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĨāļāļāļāđāļāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§āđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
Tower Semiconductor Ltd āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îTower Semiconductor Ltd āđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļģāļāļ§āļ 444.43M āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāļŦāļĢāļ·āļāļāļ·āļāđāļāļīāļāļāļļāļāđāļŦāđāđāļāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļĨāļ°āđāļāđāļēāļŦāļāļĩāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ āļāļķāđāļāļāļēāļāļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāļēāļĢāļāļāļāļāļĢāļēāļŠāļēāļĢāļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāļāļāļŦāļļāđāļ āļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļļāļāļāđāļēāļāļŠāļąāļāļāļēāđāļāđāļē āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļāļ§āļāļāļēāļāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļķāļāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļĄāļāļļāļāđāļŦāļĄāđ āļŠāđāļ§āļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāđāļāđāļāļĨāļāļāļēāļāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļēāļĢāļāđāļēāļĒāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļŦāļĢāļ·āļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļēāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāļāļāļ Tower Semiconductor Ltd āđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāđāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îTower Semiconductor Ltd āđāļāđāđāļāļīāļāļŠāļāļāļģāļāļ§āļ -33.35M āđāļāļāļīāļāļāļĢāļĢāļĄāļāļąāļāļŦāļēāđāļāļīāļāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāļāļ°āđāļĢ āđāļĨāļ°āđāļŦāļāļļāđāļāļāļķāļāļŠāļģāļāļąāļāļāđāļ TSEM
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļ·āļāđāļāļīāļāļŠāļāļāļĩāđāļāļĢāļīāļĐāļąāļāđāļŦāļĨāļ·āļāļāļĒāļđāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāđāļāļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļāļāļĩāđāļāļģāđāļāđāļāļāđāļāļāļēāļĢāļĢāļąāļāļĐāļēāļŦāļĢāļ·āļāļāļĒāļēāļĒāļāļļāļĢāļāļīāļāđāļĨāđāļ§ āđāļāļĒāļĄāļąāļāđāļāđāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļ§āļēāļĄāļĒāļ·āļāļŦāļĒāļļāđāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļĢāļ°āļŦāļāļĩāđ āļāļ§āļēāļĄāļĒāļąāđāļāļĒāļ·āļāļāļāļāđāļāļīāļāļāļąāļāļāļĨ āļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļāđāļāļāļēāļĢāļāļ·āđāļāļŦāļļāđāļāļāļ·āļ āđāļĨāļ°āļāļļāļāļ āļēāļāļāļāļāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ§āļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļąāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļĒāļāļļāļ
āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļāļ Tower Semiconductor Ltd āđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļāļāļīāļŠāļĢāļ°āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ -48.94M āļāļķāđāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļ -490.64% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāļĩāļāđāļāļ