271.692USD+271.692āļŦāļĨāļąāļāļāļĨāļēāļāļāļīāļ 07/29, 20:00 (ET)
65.46BāļĄāļđāļĨāļāđāļēāļāļĨāļēāļ
24.66P/E TTM
NXPI āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ
āļāļļāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāļāļĢāļ§āļāļŠāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļēāļĒāļāļĩāļŦāļĢāļ·āļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļāļ NXP Semiconductors NV āđāļāđāļāļĩāđāļāļĩāđ āđāļāļ·āđāļāļāļģāļāļ§āļēāļĄāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļĄāļđāļĨāđāļāļīāļāļĨāļķāļāđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāļąāļāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļĨāļ°āļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļāļĨāļāļāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ NXP Semiconductors NV
āļāļģāļāļēāļĄāļāļĩāđāļāļāļāđāļāļĒ
āļāļąāļāļāļ°āļāđāļēāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļāļ NXP Semiconductors NV āļāļ TradingKey āđāļāđāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāđāļĢāļīāđāļĄāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļĢāļ§āļĄ āļāļēāļāļāļąāđāļāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāđāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ āļāļģāđāļĢāļāđāļāļāļ āļēāļĐāļĩ āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī āđāļĨāļ° EPS āļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļ°āļāđāļāļāļāļāļēāļāļāļļāļĢāļāļīāļ āļŠāđāļ§āļāļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļāđāļĨāļ°āļāļĨāļāļģāđāļĢāđāļāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļēāļĢāļāļ°āđāļŠāļāļāđāļŦāđāđāļŦāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāļāļĒāđāļēāļāļĄāļĩāļāļĢāļ°āļŠāļīāļāļāļīāļ āļēāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļ
āļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļĨāļ°āļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļāļāļāđāļēāļāļāļąāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŠāļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāđāļāļĢāļāļāļĢāļ°āļĒāļ°āđāļ§āļĨāļēāļāļąāļāļāļĩ 3 āđāļāļ·āļāļ āļŠāđāļ§āļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļĢāļēāļĒāļāļĩāļāļ°āļŠāļĢāļļāļāļāļĨāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĨāļāļāļāļąāđāļāļāļĩāļāļąāļāļāļĩ āļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļīāļāļāļēāļĄāđāļĄāđāļĄāļāļāļąāļĄāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļąāļĒāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨ āļāļāļ°āļāļĩāđāļāđāļāļĄāļđāļĨāļĢāļēāļĒāļāļĩāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļĢāļ°āļĒāļ°āļĒāļēāļ§ āļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢ āđāļĨāļ°āļ§āļąāļāļāļąāļāļĢāļāļļāļĢāļāļīāļ
YOY āđāļāļŦāļāđāļēāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļ°āđāļĢ
îYOY āļŦāļĄāļēāļĒāļāļķāļāļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ āđāļāļĒāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļāļāļēāļĢāđāļāļīāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļ§āļĨāļēāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē āđāļāđāļ āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļāļĩāđāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāļĩāđāđāļĨāđāļ§ āļāļēāļĢāđāļāļĢāļĩāļĒāļāđāļāļĩāļĒāļāđāļāļ YOY āļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļĄāļāļāđāļŦāđāļāđāļāļ§āđāļāđāļĄāļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļ āļāļĢāđāļāļĄāļĨāļāļāļĨāļāļĢāļ°āļāļāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļēāļĄāļĪāļāļđāļāļēāļĨāļāļēāļĄāļāļāļāļī
āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļāđāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĩāđāļŠāļģāļāļąāļāļāļĩāđāļŠāļļāļāđāļĄāļ·āđāļāļāđāļāļāļ§āļīāđāļāļĢāļēāļ°āļŦāđāļŦāļļāđāļ NXPI
îāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļŠāļģāļāļąāļ āđāļāđāđāļāđ āļāļēāļĢāđāļāļīāļāđāļāļāļāļāļĢāļēāļĒāđāļāđ, āļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļąāđāļāļāđāļ, āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļąāļāļĢāļēāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļ, āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļī, EPS, āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļāđāļēāļāļāļēāļĢāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļē (R&D), āļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāđāļāļāļēāļĢāļāļēāļĒ āļāļąāđāļ§āđāļ āđāļĨāļ°āļāļĢāļīāļŦāļēāļĢ (SG&A) āļĢāļ§āļĄāļāļķāļāļāđāļēāđāļāđāļāđāļēāļĒāļ āļēāļĐāļĩ āđāļāļĒāļāļąāđāļ§āđāļ āļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāļāļ°āļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāđāļŦāļĨāđāļēāļāļĩāđāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāđāļāļ·āđāļāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļāļģāļĨāļąāļāđāļāļīāļāđāļ āļāļ§āļāļāļļāļĄāļāđāļāļāļļāļ āđāļĨāļ°āđāļāļīāđāļĄāļāļ§āļēāļĄāļŠāļēāļĄāļēāļĢāļāđāļāļāļēāļĢāļāļģāļāļģāđāļĢāđāļāđāļŦāļĢāļ·āļāđāļĄāđ
āļĢāļēāļĒāđāļāđāļāļāļ NXP Semiconductors NV āļ āļŠāļīāđāļāļāļĩāļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îNXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 12.27B āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļāļāļēāļ 12.61B āđāļāļāļĩāļāđāļāļāļŦāļāđāļē
NXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îNXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļĢāļēāļĒāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 3.18B āļāļķāđāļāđāļāļīāđāļĄāļāļķāđāļ 12.20% āđāļĄāļ·āđāļāđāļāļĩāļĒāļāļāļąāļāļāđāļ§āļāđāļāļĩāļĒāļ§āļāļąāļāļāļāļāļāļĩāļāđāļāļ
āļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ NXP Semiconductors NV āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îNXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĩāđ 2.02B
NXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāđāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāđāļāđāļēāđāļ
îNXP Semiconductors NV āļĢāļēāļĒāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļĄāļēāļŠāļĨāđāļēāļŠāļļāļāļāļĩāđ 1.12B
āļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļĢāļ°āļāļģāļāļĩāļāļāļ NXP Semiconductors NV āļāļĒāļđāđāļāļĩāđāđāļāđāļēāđāļ
îāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļēāļĢāļāļģāđāļāļīāļāļāļēāļāļāļāļ NXP Semiconductors NV āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļĩāļāļāļāļĢāļ°āļĄāļēāļ 2025 āļāļĒāļđāđāļāļĩāđ 3.45B
EPS āđāļāļĩāđāļĒāļ§āļāđāļāļāļāļąāļāļāļāļāļģāđāļĢāļāļēāļāļāļļāļāļāļĒāđāļēāļāđāļĢ
îEPS āļŦāļĢāļ·āļāļāļģāđāļĢāļāđāļāļŦāļļāđāļ āļāļģāļāļ§āļāļāļēāļāļāļģāđāļĢāļŠāļļāļāļāļīāļŦāļēāļĢāļāđāļ§āļĒāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļāļāļĩāđāļāļāļāđāļĨāļ°āļāļģāļĢāļ°āđāļĨāđāļ§ āļāļąāļ§āđāļĨāļāļāļĩāđāļāđāļ§āļĒāđāļŦāđāļāļąāļāļĨāļāļāļļāļāđāļāđāļēāđāļāļ§āđāļēāļāļĢāļīāļĐāļąāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļģāđāļĢāđāļāđāđāļāđāļēāđāļāļāđāļāļŦāļļāđāļ āđāļāđāļāļ§āļĢāļāļīāļāļēāļĢāļāļēāļĢāđāļ§āļĄāļāļąāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļĩāđāļĒāļāđāļāļĨāļāļāļāļāļāļģāļāļ§āļāļŦāļļāđāļ āļĄāļēāļĢāđāļāļīāđāļ āļāļĢāļ°āđāļŠāđāļāļīāļāļŠāļ āđāļĨāļ°āļāļąāļ§āļāļĩāđāļ§āļąāļāļāļēāļĢāļāļĢāļ°āđāļĄāļīāļāļĄāļđāļĨāļāđāļē