หุ้นกลุ่มหน่วยความจำสหรัฐฯ ร่วงลงช่วงก่อนเปิดตลาด; Micron, SanDisk, Western Digital ปรับตัวลดลงกว่า 2% หลังความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของ CXMT จุดชนวนความกังวลด้านการแข่งขัน

TradingKey - เมื่อวันที่ 12 ตุลาคม หุ้นกลุ่มหน่วยความจำของสหรัฐฯ ปรับตัวลดลงโดยทั่วไปในการซื้อขายช่วงก่อนเปิดตลาด หลังจากที่ฉางซิน เมโมรี เทคโนโลยีส์ (CXMT) ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำของจีน ประกาศความคืบหน้าด้านการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยี DRAM ยุคใหม่ ตลาดได้กลับมาให้ความสนใจกับสภาพการแข่งขันของอุตสาหกรรมหน่วยความจำทั่วโลกอีกครั้ง ขณะที่หุ้นกลุ่มหน่วยความจำที่เคยปรับตัวขึ้นอย่างมากก่อนหน้านี้ยังคงเผชิญกับแรงขายทำกำไรอย่างต่อเนื่อง

ณ ช่วงเช้าของการซื้อขายก่อนเปิดตลาดในวันจันทร์ตามเวลาฝั่งตะวันออกของสหรัฐฯ ไมครอน เทคโนโลยี (MU), แซนดิสก์ (SNDK), และเวสเทิร์น ดิจิตอล (WDC) เคยร่วงลงมากกว่า 2% ในช่วงหนึ่ง ขณะที่ซีเกท เทคโนโลยี (STX) ดิ่งลงมากกว่า 1% ในสัปดาห์ก่อนหน้า กลุ่มหน่วยความจำได้ปรับตัวลงอย่างมากอยู่แล้ว โดยกองทุน ETF Roundhill Memory ร่วงลง 7.4% ในสัปดาห์ดังกล่าว ซึ่งเป็นการทำผลงานรายสัปดาห์ที่ย่ำแย่ที่สุดในรอบเกือบสามเดือน

ผลการดำเนินงานของราคาหุ้นไมครอนในการซื้อขายช่วงก่อนเปิดตลาด, ที่มา: FUTUBULL

แรงกดดันต่อหุ้นกลุ่มนี้มีความเชื่อมโยงกับความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีล่าสุดของ CXMT โดย CXMT ระบุว่ากำลังพัฒนาสถาปัตยกรรมเซลล์หน่วยความจำ DRAM แบบ 4F² ยุคใหม่ และวางแผนที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 รุ่นใหม่ที่ใช้เทคโนโลยีนี้ภายในสิ้นปี 2026 เมื่อเปรียบเทียบกับโครงสร้าง 6F² ซึ่งเป็นกระแสหลักในปัจจุบัน ดีไซน์แบบ 4F² สามารถเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำต่อหน่วยพื้นที่ได้ดียิ่งขึ้น นอกจากนี้ แพลตฟอร์มการผลิต DRAM รุ่นที่ห้าของบริษัทอย่าง G5 ก็ได้เข้าสู่การผลิตเชิงปริมาณแล้วในเดือนกันยายน

ความผันผวนของหุ้นกลุ่มหน่วยความจำเพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัดเมื่อเร็ว ๆ นี้ โดยเมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา แซนดิสก์ปิดร่วงลง 1.72% หลังจากที่ดิ่งลงอย่างหนักถึง 4.90% ในวันทำการก่อนหน้า ขณะที่เวสเทิร์น ดิจิตอล ปิดบวก 1.01% หลังจากที่ปรับตัวลดลงก่อนหน้านี้ ในขณะเดียวกัน ผลประกอบการเบื้องต้นประจำไตรมาสล่าสุดของซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ออกมาต่ำกว่าที่ตลาดคาดการณ์ไว้ ซึ่งกดดันหุ้นชิปหน่วยความจำทั่วโลกเป็นการชั่วคราวเช่นกัน

อย่างไรก็ตาม อุปสงค์ชิป DRAM, NAND และฮาร์ดดิสก์ความจุสูงจากศูนย์ข้อมูล AI ยังคงอยู่ในระดับสูง จุดสนใจของตลาดกำลังเปลี่ยนจากการตึงตัวของอุปสงค์และอุปทานเพียงอย่างเดียว ไปสู่จังหวะความเร็วในการขยายกำลังการผลิตของผู้ผลิตชาวจีน ความก้าวหน้าในเทคโนโลยี DRAM ขั้นสูง และคำถามที่ว่าราคาหน่วยความจำจะสามารถทรงตัวในระดับสูงต่อไปได้หรือไม่ นอกจากนี้ รายงานผลประกอบการในสัปดาห์นี้จาก TSMC และ ASML จะส่งสัญญาณใหม่ ๆ เกี่ยวกับอุปสงค์โครงสร้างพื้นฐาน AI ซึ่งอาจส่งผลกระทบต่อทิศทางของกลุ่มหน่วยความจำและกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์ต่อไป