Las acciones del sector de memoria vuelven a caer mientras Micron cae más de un 3 %, pero Goldman señala que el mercado sobreestima el impacto tecnológico de CXMT
Las acciones del sector de memorias sufrieron fuertes caídas semanales (SK Hynix -18%, SanDisk -15%, Micron -13%) ante el temor de que la arquitectura 4F2 de ChangXin (CXMT) alivie la escasez de chips. No obstante, la demanda de centros de datos mantiene la oferta ajustada, impulsando previsiones alcistas de precios para DRAM, NAND y HBM hacia 2027. Aunque la expansión de CXMT representa un riesgo a largo plazo, enfrenta barreras técnicas y de empaquetado avanzadas, además de restricciones de equipos EUV. Por tanto, el mercado podría haber sobreestimado su impacto inmediato, ofreciendo un perfil de riesgo-recompensa atractivo en el sector.

TradingKey - 16 de octubre: Las acciones del sector de las memorias sufrieron otro duro golpe el viernes, con SK Hynix (SKHY) cayendo más de un 5%, SanDisk (SNDK) perdiendo más de un 4% y Micron (MU) cediendo más de un 3%, lo que elevó sus retrocesos semanales al 18%, 15% y 13%, respectivamente. El mercado teme que los avances en la arquitectura 4F2 anunciados por ChangXin Memory Technologies (CXMT) puedan aliviar la escasez de chips de memoria, pesando así sobre los precios y los beneficios de los fabricantes.
Detrás de este retroceso subyacen dos cuestiones en diferentes plazos: si la oferta inmediata sigue siendo ajustada y cuál será la magnitud del impacto de la futura expansión de capacidad de ChangXin.

Gráfico de las acciones de Micron, fuente: TradingView
La oferta actual se mantiene ajustada a medida que la demanda de centros de datos impulsa las expectativas de subidas de precios
El analista de KeyBanc Capital Markets, John Vinh, señaló tras una investigación sobre el terreno en Asia que los proveedores están reorientando una mayor capacidad de memoria hacia los centros de datos. Vinh prevé que esto reducirá la oferta de memoria para PC y smartphones entre un 20% y un 30% en 2027.
Basándose en la demanda de IA y en los cambios en la asignación de capacidad, Vinh prevé que los precios de la memoria DRAM subirán entre un 15% y un 20% intertrimestral en el cuarto trimestre de 2026, mientras que los precios de la memoria NAND aumentarán cerca de un 20%; en el primer trimestre de 2027, los precios de la memoria HBM podrían dispararse entre un 80% y un 100% intertrimestral. Aunque estos pronósticos aún están por materializarse, explican por qué el mercado sigue centrado en un mayor potencial alcista para los precios de los chips de memoria: los centros de datos están absorbiendo más capacidad, lo que reduce la oferta disponible para otros mercados.
Los clientes también están asegurando el suministro con antelación. HP y Dell han ampliado sus acuerdos de suministro hasta 2031, y Google está negociando acuerdos que se extienden hasta 2035. El aumento de los acuerdos a largo plazo otorga a los proveedores una mayor visibilidad sobre la demanda futura.
La expansión de ChangXin es un riesgo; ponerse al día en HBM aún enfrenta barreras técnicas
No se puede ignorar el crecimiento de la capacidad de CXMT. Goldman Sachs prevé que su capacidad mensual de obleas de DRAM aumentará de 290.000 obleas a finales de 2026 a 513.000 obleas a finales de 2028, lo que representa un incremento de alrededor del 77%. Goldman Sachs considera que la preocupación del mercado por este suministro adicional está justificada.
Sin embargo, Goldman Sachs también cree que el mercado ha sobreestimado el impacto tecnológico de los avances en la arquitectura 4F². CXMT sigue estando por detrás de sus competidores surcoreanos en DRAM de procesos avanzados y HBM; la competencia en HBM no depende solo de la tecnología DRAM, sino también de las capacidades de empaquetado y fabricación de troqueles base avanzados. Además, los controles de exportación que impiden a las fundiciones locales chinas adquirir máquinas de litografía EUV dificultan aún más la posibilidad de ponerse al día.
Tampoco la expansión de la capacidad implica poder satisfacer plenamente el mercado local. Goldman Sachs estima que, para 2028, CXMT solo cubrirá alrededor del 50% de la demanda nacional de DRAM de China y el 40% de su demanda de HBM. Por consiguiente, Goldman Sachs considera que los ratios precio-valor contable por debajo de 1x de Samsung Electronics y SK Hynix ya reflejan expectativas excesivamente pesimistas sobre un ciclo bajista para 2028, lo que hace atractivo su perfil de riesgo-recompensa.
Micron, SanDisk y SK Hynix se benefician en diferentes segmentos
Si bien las tres empresas se enfrentan al mismo ciclo del mercado de memoria, sus áreas de beneficio difieren.
Micron está alineada con los principales impulsores de la demanda de DRAM y HBM. Vinh considera que los resultados de la encuesta son los más positivos para Micron, ya que el número de sus acuerdos estratégicos con clientes creció de 16 en el segundo trimestre a 26 en el tercer trimestre.
SanDisk está vinculada más directamente al mercado de NAND. Más allá de las expectativas de aumentos de precios en NAND, la compañía ha firmado acuerdos a largo plazo con ocho clientes, incluidas varias grandes empresas tecnológicas.
El foco de SK Hynix se centra en la demanda de HBM y en los riesgos competitivos a largo plazo que plantea CXMT. La empresa ha finalizado acuerdos a largo plazo con clientes importantes. Para SK Hynix, la cuestión inmediata a vigilar es si se materializan los aumentos previstos en los precios de HBM; la variable a más largo plazo es la rapidez con la que la expansión de capacidad de CXMT se traduzca en una oferta efectiva.
Por lo tanto, vale la pena seguir el progreso de CXMT, pero las previsiones de expansión de capacidad para 2028 no deben equipararse directamente con un giro inmediato en la oferta y la demanda.
Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.
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