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Las acciones del sector de memoria de EE. UU. caen en el premercado; Micron, SanDisk y Western Digital bajan más de un 2 % mientras los avances tecnológicos de CXMT despiertan preocupación por la competencia

TradingKey12 de oct de 2026 9:39

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Las acciones del sector de semiconductores en EE. UU., incluyendo Micron y Western Digital, sufrieron caídas generalizadas debido a los avances en I+D de la china CXMT en su tecnología DRAM 4F² y memoria DDR5, proyectada para 2026. Este desarrollo intensifica la competencia global y genera tomas de beneficios, agravadas por resultados preliminares débiles de Samsung. No obstante, la sólida demanda de centros de datos de IA y los próximos informes de resultados de TSMC y ASML mantendrán el enfoque del mercado en la evolución tecnológica y la sostenibilidad de los precios de las memorias.

Resumen generado por IA

TradingKey - El 12 de octubre, las acciones del sector de las memorias de Estados Unidos mostraron una debilidad generalizada en las operaciones previas a la apertura. Después de que el fabricante chino de chips de memoria ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciara avances en I+D sobre su tecnología DRAM de próxima generación, el mercado volvió a centrarse en el panorama competitivo de la industria global de memorias, mientras que las acciones del sector que se habían revalorizado anteriormente continuaron registrando tomas de beneficios.

A primera hora de las operaciones previas a la apertura del lunes en el horario del este de Estados Unidos, Micron Technology (MU), SanDisk (SNDK) y Western Digital (WDC) llegaron a caer más de un 2%, mientras que Seagate Technology (STX) cedió más de un 1%. En la semana previa, el sector de las memorias ya se había replegado significativamente, perdiendo el Roundhill Memory ETF un 7,4% semanal, lo que supuso su peor comportamiento semanal en casi tres meses.

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Evolución de la cotización de Micron en el premercado, Fuente: FUTUBULL

La presión sobre el sector se atribuye a los últimos avances tecnológicos de CXMT. La compañía afirmó que está impulsando su arquitectura de celdas de memoria DRAM 4F² de próxima generación y que prevé lanzar una nueva generación de productos de memoria DDR5 para servidores basada en esta tecnología para finales de 2026. En comparación con la estructura dominante actual 6F², el diseño 4F² permite aumentar aún más la densidad de memoria por unidad de superficie. La plataforma de fabricación de DRAM de quinta generación de la empresa, G5, también entró en producción a gran escala en septiembre.

La volatilidad de las acciones de memoria ha aumentado de forma notable recientemente. El viernes pasado, SanDisk cerró con una caída del 1,72%, tras registrar un desplome del 4,90% en la sesión anterior, mientras que Western Digital cerró con una subida del 1,01% tras las caídas previas. Al mismo tiempo, los últimos resultados trimestrales preliminares de Samsung Electronics no alcanzaron las expectativas del mercado, lo que también lastró de forma temporal a las acciones globales de chips de memoria.

Sin embargo, la demanda proveniente de los centros de datos de IA de memorias DRAM, NAND y discos duros de alta capacidad se mantiene elevada. La atención del mercado se está desplazando del mero ajuste entre oferta y demanda hacia el ritmo de expansión de los fabricantes chinos, los avances en la tecnología DRAM avanzada y si los precios de las memorias pueden mantenerse elevados. Además, los informes de resultados de esta semana de TSMC y ASML aportarán nuevas señales sobre la demanda de infraestructura de IA, lo que podría seguir influyendo en la trayectoria de los sectores de la memoria y los semiconductores.

Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.

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