El gigante de la memoria Kioxia envía memoria flash de 332 capas a centros de datos de IA, sus acciones se disparan más de un 10% tras bruscas oscilaciones

TradingKey - Durante la sesión de negociación asiática del 3 de julio, el gigante mundial de chips de memoria Kioxia anunció que ha comenzado oficialmente a enviar muestras de sus productos de tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH de décima generación a sus clientes. Con una arquitectura apilada de 332 capas, este chip TLC de 1 Tb apunta directamente a la explosiva demanda de almacenamiento de alta capacidad y bajo consumo en los centros de datos de IA, lo que señala una nueva fase en la "guerra de la memoria" que rodea a la infraestructura de IA.

Aunque el índice Nikkei 225 estuvo bajo presión al principio de la sesión y el precio de las acciones de Kioxia cayó inicialmente más del 9% debido a las fluctuaciones del sentimiento del mercado, la cotización pasó rápidamente a terreno positivo y se disparó más del 10% a medida que se asimilaban los detalles técnicos del nuevo producto, protagonizando un potente rebote. Al cierre de esta edición, las acciones de Kioxia subían un 10,07% hasta los 83.940 yenes. Anteriormente, beneficiándose del auge de la IA, la capitalización de mercado de Kioxia había superado a la de Toyota para ocupar el primer puesto en Japón.

[Fuente: Futu]

Se informa que este producto de décima generación, del cual se están enviando muestras actualmente, representa un gran salto tecnológico. Basándose en la tecnología "CMOS directamente unido a la matriz" (CBA, por sus siglas en inglés) introducida en la octava generación, la memoria flash de próxima generación logra una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, un aumento del 33% con respecto a la generación anterior. Mientras tanto, el apilamiento vertical de hasta 332 capas, combinado con una densidad lateral optimizada, ha dado como resultado un asombroso aumento del 59% en la densidad de bits. Más importante aún, su eficiencia energética de lectura y escritura ha mejorado un 18% y un 30% respectivamente, abordando directamente el punto crítico del alto consumo de energía en los centros de datos.

El nuevo producto se fabrica en la Fab2 de Kioxia en Kitakami, prefectura de Iwate, Japón, que es su única instalación a nivel mundial capaz de escalar la producción de memoria flash de 332 capas.

Frente a la feroz competencia de rivales como Samsung y SK Hynix en el espacio de la memoria flash de más de 300 capas, Kioxia lo está dando todo para asegurar su posición en la cadena de suministro de centros de datos de IA aprovechando la ventaja de ser el primero en adoptar BiCS 10. Según fuentes del mercado, se espera que la producción en masa del producto comience en la planta de Kitakami en 2027.