前三星研究员等10人因向中国泄露芯片技术而被起诉

三星tron前员工被指控向中国长鑫存储技术有限公司泄露公司先进技术和制造工艺。.

由于技术盗窃，三星和其他受影响的公司估计损失达数万亿韩元。.

长鑫存储技术窃取三星技术

韩国当局指控 10 人窃取并向中国芯片制造商长信存储技术股份有限公司(CXMT) 转移关键半导体制造技术。

首尔中央地方检察厅宣布，在被起诉的10人中，5人仍被拘留，5人获准保释。起诉书涉及违反韩国工业技术保护法的指控。.

检察官透露准备加入CXMT 的前三星研究员在离开公司前，煞费苦心地手工抄录了该公司价值 1.6 万亿韩元的技术的数百个制造工艺步骤。

这些手写笔记包含了极其详细的设备规格、生产顺序和良率优化技术信息。CXMT后来利用这些笔记在其自身工厂中重现了三星的生产流程。.

2025 年上半年，韩国就立案调查了八起技术泄露案件，其中五起案件涉及中国作为被盗信息的接收方。

对于技术盗窃的法律后果相对宽松，但韩国在 2024 年初修订了预防法律，对违法者处以更严厉的监禁刑罚和更高的罚款。.

CXMT 如何处理被盗技术？

CXMT 对窃取的数据进行了调整和验证，使其能够与自己的设备配合使用，并于 2023 年成功实现了自主研发的 10 纳米 DRAM 的生产。由于这次窃取，CXMT 成为中国首家生产此类先进节点芯片的芯片制造商。.

检方发现，CXMT 还通过一家未具名的供应商从 SK 海力士DRAM 技术

今年而被判处五年监禁并罚款 3000 万韩元。

据称，金某拍摄了约 11,000 页技术文件，并移除了dent标记，然后泄露了敏感信息。.

在另一起2024年的案件，一名中国公民在韩国机场被警方逮捕，当时他正试图离开韩国。此前，他打印了超过3000页的半导体缺陷分析数据，之后加入了华为。该嫌疑人自2013年起就职于SK海力士公司。

检察官解释说，CXMT 利用从三星非法获得的制造工艺，开发出自己的高带宽内存 (HBM) 芯片，这种芯片是构建人工智能加速器和用于机器学习和数据中心运营的图形处理单元的客户所急需的商品。.

韩国当局估计，如果将潜在的市场损失和研发成本等因素考虑在内，三星tron等公司遭受的经济损失至少达数万亿韩元。.

该技术被盗时，三星是唯一一家成功实现 10 纳米 DRAM 生产商业化的公司。.

上个月，CXMT发布了其最新一代DRAM产品DDR5。据Cryptopolitan报道，该公司正寻求在上海证券交易所上市，目标估值为420亿美元。

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