Cổ phiếu Samsung, SK Hynix giảm hơn 4% trong phiên khi ChangXin Memory của Trung Quốc công bố các tiến bộ công nghệ DRAM thế hệ mới
Ngày 12 tháng 10, cổ phiếu Samsung Electronics và SK Hynix giảm lần lượt khoảng 4,2% và 4,01%. Động thái này diễn ra sau khi ChangXin Memory Technologies (CXMT) công bố tiến triển trong việc phát triển kiến trúc ô nhớ DRAM 4F² thế hệ tiếp theo, dự kiến ra mắt sản phẩm DDR5 RDIMM trước cuối năm 2026. Trong quý 2 năm 2026, thị phần doanh thu DRAM toàn cầu của CXMT đạt 10%. Sự phát triển của CXMT khiến nhà đầu tư đánh giá lại áp lực cạnh tranh đối với các nhà sản xuất truyền thống.

TradingKey - Vào ngày 12 tháng 10, cổ phiếu của các công ty chip nhớ Hàn Quốc đã giảm đáng kể trong phiên giao dịch trong ngày. Tính đến thời điểm đưa tin, Samsung Electronics (005930.KS) giảm tới khoảng 4,2% xuống 252.500 won, trong khi SK Hynix (000660.KS) giảm tới khoảng 4,01% xuống 1.624.000 won. Nhà sản xuất DRAM Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT) đã công bố tiến triển trong nghiên cứu và phát triển công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo, càng làm tăng sự tập trung của thị trường vào cuộc cạnh tranh ngày càng gay gắt trong ngành DRAM toàn cầu.

Biểu đồ giá cổ phiếu hàng ngày của Samsung Electronics, Nguồn: TradingView
ChangXin Memory Technologies cho biết công ty đã đạt được tiến triển quan trọng trong nghiên cứu và phát triển kiến trúc ô nhớ DRAM 4F² thế hệ tiếp theo. So với kiến trúc 6F² được sử dụng trong DRAM thương mại phổ biến hiện nay, thiết kế 4F² có thể tích hợp nhiều ô nhớ hơn trên mỗi đơn vị diện tích chip, cải thiện mật độ bộ nhớ đồng thời nâng cao hiệu suất năng lượng. CXMT đã áp dụng kiến trúc bóng bán dẫn Cổng bao quanh thẳng đứng tự phát triển để thu nhỏ diện tích ô nhớ riêng lẻ và giảm dòng rò.
Chủ tịch CXMT Cao Kanyu cho biết công ty dự kiến ra mắt các sản phẩm bộ nhớ máy chủ DDR5 RDIMM thế hệ tiếp theo dựa trên các công nghệ liên quan trước cuối năm 2026. Hiện tại, Samsung và SK Hynix cũng đang phát triển công nghệ 4F², trong đó SK Hynix trước đó đã công bố lộ trình R&D liên quan, trong khi Samsung được cho là đang lên kế hoạch đạt được sản xuất quy mô lớn đối với DRAM dưới 10nm sử dụng kiến trúc này vào năm 2028.
Thị phần DRAM toàn cầu của CXMT đã tăng trưởng nhanh chóng trong những năm gần đây. Dữ liệu của Counterpoint cho thấy trong quý 2 năm 2026, tỷ lệ doanh thu DRAM toàn cầu của CXMT đã tăng lên 10%, tăng đáng kể so với mức 4% trong cùng kỳ năm ngoái; trong cùng kỳ, Samsung chiếm khoảng 38%, SK Hynix chiếm khoảng 25%, và Micron (MU) chiếm khoảng 24%.
Tuy nhiên, CXMT vẫn chưa công bố thông số kỹ thuật đầy đủ hoặc mốc thời gian sản xuất quy mô lớn cụ thể cho các sản phẩm thế hệ tiếp theo của mình, do đó liệu bước đột phá R&D này có thể chuyển hóa thành các đơn hàng thương mại quy mô lớn trên thị trường máy chủ hay không vẫn còn phải chờ xem. Trong ngắn hạn, việc CXMT liên tục mở rộng thị phần và tiến bộ trong công nghệ DRAM tiên tiến đang thúc đẩy các nhà đầu tư đánh giá lại áp lực cạnh tranh trong tương lai mà các nhà sản xuất bộ nhớ truyền thống như Samsung và SK Hynix phải đối mặt.
Nội dung này được dịch bằng trí tuệ nhân tạo và đã được hiệu đính cho dễ hiểu hơn. Chỉ mang tính chất tham khảo.
Bài viết đề xuất













Bình luận (0)
Nhấn vào nút $ , nhập ký hiệu, và chọn để liên kết với một cổ phiếu, ETF, hoặc mã khác.