tradingkey.logo
tradingkey.logo
ค้นหา

มีรายงานว่าซัมซุงเลือกใช้โซลูชัน 3nm ของ TSMC สำหรับ HBM ของ Nvidia: เอสเคไฮนิกซ์และไมครอนจะเดินตามรอยหรือไม่?

TradingKey
ผู้เขียนJay Qian
19 ต.ค. 2026 เวลา 2:33

พอดแคสต์ AI

facebooktwitterlinkedin
ดูความคิดเห็นทั้งหมด(0)

อินวิเดียอยู่ระหว่างเจรจากับซัมซุง เอสเคไฮนิกซ์ และไมครอน เพื่อพัฒนาโซลูชันหน่วยความจำ HBM แบบปรับแต่งเฉพาะรุ่นถัดไป (NVHBM) โดยอาจใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC สำหรับการผลิตเบสได เพื่อมาตรฐานอินเทอร์เฟซและการจัดการหน่วยความจำที่ดีขึ้น ขณะที่คอร์ไดใช้กระบวนการ DRAM ปกติ ข้อเสนอนี้ยังอยู่ระหว่างการพิจารณาและยังไม่มีการยืนยันคำสั่งซื้ออย่างเป็นทางการจากทุกฝ่าย ความร่วมมือดังกล่าวอาจช่วยให้อินวิเดียกระจายความเสี่ยงด้านห่วงโซ่อุปทานและเพิ่มประสิทธิภาพแบนด์วิดท์ AI แต่ความสำเร็จขึ้นอยู่กับการรับรองคุณสมบัติและอัตราผลผลิตจากการผลิตจริง

สรุปที่สร้างโดย AI

TradingKey - เมื่อวันที่ 18 ต.ค. ตามเวลาฝั่งตะวันออกของสหรัฐฯ มีรายงานเกี่ยวกับข้อตกลงห่วงโซ่อุปทานใหม่สำหรับหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) แบบกำหนดเองรุ่นถัดไปของอินวิเดีย (NVDA)

ตามรายงานของหนังสือพิมพ์ Seoul Economic Daily ของเกาหลีใต้ ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ อาจใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC (TSM) ในการผลิตเบสไดสำหรับ HBM แบบกำหนดเองของอินวิเดีย ซึ่งในเวลาต่อมาสำนักข่าว Reuters ได้นำรายงานดังกล่าวไปเผยแพร่ต่อ

รายงานระบุว่า อินวิเดียยังได้ยื่นข้อเสนอในลักษณะเดียวกันนี้ไปยังซัมซุง, เอสเคไฮนิกซ์ (SKHY) และไมครอน เทคโนโลยี (MU) โดยอาจคาดหวังให้ซัพพลายเออร์ทั้งสามรายใช้กระบวนการผลิตของ TSMC ในการผลิตเบสไดสำหรับ NVHBM และใช้กระบวนการผลิต DRAM รุ่นถัดไปสำหรับคอร์ได

ในปัจจุบัน อินวิเดีย, ซัมซุง, เอสเคไฮนิกซ์, ไมครอน เทคโนโลยี และ TSMC ยังไม่ได้ยืนยันอย่างเป็นทางการเกี่ยวกับการจัดสรรการผลิตที่เฉพาะเจาะจง รวมถึงยังไม่มีการเปิดเผยปริมาณคำสั่งซื้อ สัดส่วนการจัดสรรอุปทาน หรือกำหนดเวลาการผลิตเป็นจำนวนมาก

NVHBM แตกต่างจาก HBM มาตรฐานอย่างไร?

เอ็นวิเดียได้ประกาศเปิดตัวแพลตฟอร์ม NVLink Fusion สำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI แบบกึ่งคัสตอม ขณะที่สำนักข่าว Reuters อ้างอิงรายงานจากสื่อเกาหลีใต้ระบุว่า เอ็นวิเดียได้เปิดตัว NVHBM ซึ่งเป็นโซลูชัน HBM แบบปรับแต่งเฉพาะในเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา

มีรายงานว่า NVHBM แตกต่างจาก HBM มาตรฐาน โดยได้รวมตัวควบคุมหน่วยความจำแบบปรับแต่งเฉพาะของเอ็นวิเดียไว้ในเบสได (base die) ซึ่งโดยทั่วไปเบสไดจะทำหน้าที่ควบคุมลอจิก การเชื่อมต่ออินเทอร์เฟซ และการจัดการหน่วยความจำ ขณะที่คอร์ได (core die) จะทำหน้าที่หลักในการจัดเก็บข้อมูล

การออกแบบนี้คาดว่าจะช่วยให้เอ็นวิเดียสามารถทำให้มาตรฐานอินเทอร์เฟซและการตรวจสอบความถูกต้องของผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์รายต่างๆ เป็นหนึ่งเดียวกัน ช่วยลดภาระในการปรับแต่งผลิตภัณฑ์ และเพิ่มความเป็นไปได้ในการจัดหาชิ้นส่วนจากซัพพลายเออร์หลายราย

ตามรายงานระบุว่า เป้าหมายการออกแบบของ NVHBM ยังรวมถึงการเพิ่มแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำ การลดการใช้พลังงาน และการปรับปรุงการใช้พื้นที่ของ XPU อย่างไรก็ตาม ผลลัพธ์ขั้นสุดท้ายยังคงขึ้นอยู่กับการออกแบบชิป กระบวนการผลิต การบรรจุภัณฑ์ อัตราผลตอบแทนจากการผลิต (yield rate) และการผ่านการรับรองคุณสมบัติโดยลูกค้า

ทำไมซัมซุงอาจนำเทคโนโลยีการผลิตของ TSMC มาใช้

หากรายงานดังกล่าวเป็นความจริง ซัมซุงจะใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC ในการผลิตเบสได (base die) สำหรับโครงการ HBM ของ Nvidia โดยเฉพาะ แทนที่จะพึ่งพากำลังการผลิตของโรงงานหล่อชิปของตนเองทั้งหมด สิ่งนี้อาจเกี่ยวข้องกับความต้องการของอินวิเดียในการทำให้โซลูชันเบสไดเป็นมาตรฐานเดียวกัน และเพิ่มความคล่องตัวในกระบวนการรับซัพพลายเออร์รายใหม่

ข้อตกลงนี้ครอบคลุมเฉพาะโครงการปรับแต่งเฉพาะทางบางโครงการเท่านั้น และไม่ได้แสดงถึงการเปลี่ยนแปลงรูปแบบการผลิตของซัมซุงอย่างสิ้นเชิง รายงานระบุว่า ซัมซุงยังคงวางแผนที่จะรักษาระบบการผลิตภายในองค์กรไว้สำหรับ HBM มาตรฐานและผลิตภัณฑ์ปรับแต่งสำหรับลูกค้ารายอื่น แม้ว่าข้อมูลนี้จะยังไม่ได้รับการยืนยันอย่างเป็นทางการจากทางซัมซุงก็ตาม

สำหรับซัมซุง การนำกระบวนการผลิตของ TSMC มาใช้อาจช่วยให้สามารถตอบสนองข้อกำหนดทางเทคนิคของอินวิเดีย และคว้าคำสั่งซื้อ HBM แบบปรับแต่งรุ่นถัดไปได้ อย่างไรก็ตาม โซลูชันดังกล่าวจะสามารถนำไปสู่การอุปทานจริงได้หรือไม่นั้น ยังคงต้องผ่านการตรวจสอบการออกแบบ การรับรองกระบวนการผลิต การปรับปรุงอัตราผลตอบแทนการผลิต และการเร่งกำลังการผลิตเชิงปริมาณ

เอสเคไฮนิกซ์และไมครอนจะใช้แนวทางเดียวกันหรือไม่?

ในปัจจุบัน ยังไม่มีข้อมูลเปิดเผยต่อสาธารณะที่ระบุว่าเอสเคไฮนิกส์และไมครอน เทคโนโลยี ได้ยอมรับแผนการผลิตเบสไดของ TSMC โดยรายงานระบุเพียงว่าอินวิเดียได้ยื่นข้อเสนอที่คล้ายกันไปยังผู้ผลิต HBM รายใหญ่ 3 ราย

แม้ว่าทั้งสามบริษัทจะใช้การออกแบบเบสไดที่เป็นมาตรฐานค่อนข้างสอดคล้องกัน แต่ความแตกต่างระหว่างผู้ผลิตจะยังคงสะท้อนผ่านเทคโนโลยีกระบวนการผลิตคอร์ได การวางซ้อน HBM การบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง อัตราผลผลิต กำลังการผลิต และความเสถียรในการส่งมอบ

สำหรับเอสเคไฮนิกส์ NVHBM อาจนำมาซึ่งคำสั่งซื้อหน่วยความจำแบบปรับแต่งเฉพาะรายใหม่ๆ แต่ก็กำหนดให้ผลิตภัณฑ์ของบริษัทต้องเป็นไปตามมาตรฐานการออกแบบของอินวิเดียด้วยเช่นกัน ส่วนการที่ไมครอน เทคโนโลยี จะสามารถรับคำสั่งซื้อที่เกี่ยวข้องได้หรือไม่นั้น ขึ้นอยู่กับการรับรองจากลูกค้า การจัดสรรกำลังการผลิต ประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ และการกำหนดราคา

ในปัจจุบัน ยังไม่ชัดเจนว่าทั้งสองบริษัทจะใช้รูปแบบการผลิตเดียวกันกับซัมซุงหรือไม่

มีความหมายอย่างไรต่อ NVDA, ซัมซุง และ TSMC?

สำหรับอินวิเดีย โซลูชัน NVHBM แบบรวมศูนย์อาจช่วยขยายแหล่งอุปทานที่ผ่านการรับรอง ลดการพึ่งพาผู้ขายหน่วยความจำรายเดียว และผลักดันการออกแบบร่วมของแพลตฟอร์ม HBM และ XPU แบบคัสตอม ทั้งนี้ การที่สิ่งนี้จะเปลี่ยนเป็นยอดจัดส่งจริงได้หรือไม่นั้น ยังคงขึ้นอยู่กับการรับรองคุณสมบัติผู้จัดหา การจัดสรรคำสั่งซื้อ และความคืบหน้าของการผลิตในปริมาณมาก

สำหรับซัมซุง เอสเคไฮนิกซ์ และไมครอน NVHBM มอบโอกาสในการรับคำสั่งซื้อหน่วยความจำระดับไฮเอนด์ที่มีศักยภาพ ขณะเดียวกันก็เพิ่มข้อกำหนดสำหรับสเปกผลิตภัณฑ์ อัตราผลตอบแทนจากการผลิต และความสามารถในการส่งมอบ

สำหรับ TSMC หากกระบวนการผลิตขนาด 3 นาโนเมตรถูกนำมาใช้สำหรับ Base Die ของ NVHBM ในท้ายที่สุด ขอบเขตการประยุกต์ใช้กระบวนการลอจิกขั้นสูงในหน่วยความจำ AI ก็อาจขยายตัวขึ้น อย่างไรก็ตาม ปัจจุบันยังไม่มีหลักฐานระบุว่า TSMC ได้รับคำสั่งซื้อที่แน่นอนแล้ว และยังไม่สามารถประเมินสัดส่วนรายได้ที่เกี่ยวข้องเป็นตัวเลขได้ในขณะนี้

ในระยะข้างหน้า ประเด็นสำคัญที่ต้องติดตาม ได้แก่ ผู้ผลิตหน่วยความจำทั้งสามรายจะยืนยันโซลูชันอุปทานหรือไม่ ความคืบหน้าของการรับรองคุณสมบัติโดยลูกค้าและการผลิต NVHBM ในปริมาณมาก รวมถึงการที่อินวิเดียจะเปิดเผยผู้จัดหารายเฉพาะ ปริมาณคำสั่งซื้อ และการจัดสรรอุปทานหรือไม่

เนื้อหานี้ได้รับการแปลโดยปัญญาประดิษฐ์ (AI) และผ่านตรวจสอบโดยมนุษย์ มีไว้เพื่อการอ้างอิงและข้อมูลทั่วไปเท่านั้น ไม่ใช่การแนะนำการลงทุนแต่อย่างใด

อ่านต้นฉบับ
ตรวจสอบโดยJay Qian
ข้อจำกัดความรับผิดชอบ: เนื้อหาของบทความนี้เป็นเพียงความคิดเห็นส่วนตัวของผู้เขียนเท่านั้น และไม่ได้สะท้อนท่าทีอย่างเป็นทางการของ Tradingkey ไม่ควรถือเป็นคำแนะนำในการลงทุน บทความนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อการอ้างอิงเท่านั้น และผู้อ่านไม่ควรตัดสินใจลงทุนโดยอิงจากเนื้อหาของบทความนี้เท่านั้น Tradingkey ไม่รับผิดชอบต่อผลการเทรดใด ๆ ที่เกิดจากการพึ่งพาบทความนี้ นอกจากนี้ Tradingkey ไม่สามารถรับประกันความถูกต้องของเนื้อหาบทความ ก่อนที่จะตัดสินใจลงทุนใดๆ ขอแนะนำให้ปรึกษาทางการเงินอิสระเพื่อทำความเข้าใจความเสี่ยงที่เกี่ยวข้องอย่างถ่องแท้

ความคิดเห็น (0)

คลิกปุ่ม $ ป้อนสัญลักษณ์ และเลือกเพื่อเชื่อมโยงหุ้น, กองทุน ETF หรือสัญลักษณ์หลักทรัพย์อื่น ๆ

0/500
แนวทางการแสดงความคิดเห็น
กำลังโหลด...

บทความแนะนำ

หุ้นญี่ปุ่นและเกาหลีใต้อ่อนตัวลงในการซื้อขายช่วงเช้า; Kospi ร่วงลงมากกว่า 1%, Nikkei 225 ลดลงมากกว่า 1.7%, ซอฟต์แบงก์ร่วงลงมากกว่า 4%

TradingKey - เมื่อวันที่ 19 ตุลาคม ตลาดหุ้นญี่ปุ่นและเกาหลีใต้กลับมาเผชิญแรงกดดันอีกครั้งในการซื้อขายช่วงเช้า โดยตลาดหุ้นเกาหลีใต้สามารถฟื้นตัวขึ้นได้บ้างหลังจากเปิดตลาดลดลง ในขณะที่การปรับตัวลดลงของตลาดหุ้นญี่ปุ่นขยายตัวกว้างขึ้น ดัชนี KOSPI ของเกาหลีใต้เปิดตลาดลดลง 3.17% อยู่ที่ระดับ 5,488.41 จุด ก่อนจะลดช่วงลบลงเหลือ 1.16% มาอยู่ที่ 5,602.12 จุด ด้านดัชนี Nikkei 225 ของญี่ปุ่นเปิดตลาดลดลง 0.77% อยู่ที่ระดับ 64,819.56 จุด และต่อมาปรับตัวลดลง 1.73% มาอยู่ที่ 64,194.90 จุด

คาดการณ์ราคาหุ้น Micron: ย่อตัวลงต่ำกว่า $900 ชั่วคราวท่ามกลางแรงกดดันจากการปรับขึ้นอัตราดอกเบี้ย, การกลับสู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ยังคงไกลเกินเอื้อมหรือไม่?

หากราคาปิดรายวันของไมครอนหลุดต่ำกว่าจุดต่ำสุดเดิมที่ 740 ดอลลาร์อย่างชัดเจน จะเป็นการส่งสัญญาณว่าโครงสร้างการสะสมกำลังออกข้างในกรอบระดับสูงขนาดใหญ่ที่ดำเนินมาตั้งแต่เดือนมิถุนายนได้ถูกทำลายลง ซึ่งอาจจุดชนวนให้เกิดแรงเทขายเพื่อลดความเสี่ยงรอบสองจากเงินทุนสถาบันระยะยาวและการซื้อขายผ่านโปรแกรม (Program Trading) และกดดันให้ราคาหุ้นปรับตัวลงไปทดสอบแนวรับรองถัดไปที่ 650–680 ดอลลาร์

แนวโน้มตลาดในสัปดาห์หน้า: จับตาผลประกอบการของ เทสลา, เมตา และ WDC ขณะที่ฤดูกาลประกาศผลประกอบการไตรมาส 3 ของหุ้นสหรัฐฯ เข้าสู่ช่วงเวลาซื้อขายที่สำคัญ

TradingKey - ในสัปดาห์ที่จะถึงนี้ (19 ตุลาคม ถึง 23 ตุลาคม) ตลาดสหรัฐฯ จะเปลี่ยนจุดสนใจจากข้อมูลเงินเฟ้อในสัปดาห์นี้ไปสู่ฤดูกาลรายงานผลประกอบการไตรมาสที่สามและข้อมูลการเติบโตทางเศรษฐกิจ โดยดัชนี CPI เดือนกันยายนของสหรัฐฯ ที่เปิดเผยในสัปดาห์นี้ปรับตัวขึ้น 3.7% เมื่อเทียบรายปี ขณะที่ดัชนี PPI ปรับตัวขึ้น 1.3% เมื่อเทียบรายเดือน ซึ่งเป็นการปรับตัวขึ้นในเดือนเดียวที่มากที่สุดนับตั้งแต่เดือนมีนาคม 2022 ด้านยอดขายปลีกเดือนกันยายนขยายตัว 0.8% เมื่อเทียบรายเดือน และ 6.3% เมื่อเทียบรายปี ซึ่งแสดงให้เห็นว่าแม้แรงกดดันด้านเงินเฟ้อยังคงอยู่ในระดับสูง แต่การใช้จ่ายของผู้บริโภคในสหรัฐฯ ยังคงรักษาความแข็งแกร่งไว้ได้ในระดับหนึ่ง
ข่าวสารที่สูงสุด
link
ตลาดหุ้นกระทิงสหรัฐฯ เข้าสู่ปีที่ 5: ดัชนี S&P 500 จะสามารถต้านทานแรงกดดันจากอัตราผลตอบแทนพันธบัตรรัฐบาลที่พุ่งสูงขึ้นได้หรือไม่ หลังปรับตัวขึ้นเท่าตัว?
แนวโน้มตลาดในสัปดาห์หน้า: จับตาผลประกอบการของ เทสลา, เมตา และ WDC ขณะที่ฤดูกาลประกาศผลประกอบการไตรมาส 3 ของหุ้นสหรัฐฯ เข้าสู่ช่วงเวลาซื้อขายที่สำคัญ
การประชุมแถลงผลประกอบการไตรมาส 3 ปี 2026 ของ Travelers (TRV): กำไรหลักแตะ 1.95 พันล้านดอลลาร์
คาดการณ์ราคาหุ้น Micron: ย่อตัวลงต่ำกว่า $900 ชั่วคราวท่ามกลางแรงกดดันจากการปรับขึ้นอัตราดอกเบี้ย, การกลับสู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ยังคงไกลเกินเอื้อมหรือไม่?
บรรยากาศการลงทุนในตลาดเปลี่ยนเป็นระมัดระวังก่อนการรายงานผลประกอบการของ Netflix: NFLX จะสามารถรักษาแนวรับสำคัญที่ 70 ดอลลาร์ได้หรือไม่?
tradingkey.logo
คำเตือนความเสี่ยง: เว็บไซต์และแอปพลิเคชันมือถือของเราให้ข้อมูลทั่วไปเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์การลงทุนบางประเภทเท่านั้น Finsights ไม่ได้ให้คำแนะนำทางการเงินหรือการแนะนำผลิตภัณฑ์การลงทุนใด ๆ และการให้ข้อมูลดังกล่าวไม่ควรถูกตีความว่าเป็นการให้คำแนะนำทางการเงินหรือการแนะนำโดย Finsights
ผลิตภัณฑ์การลงทุนมีความเสี่ยงด้านการลงทุนอย่างมาก รวมถึงการสูญเสียเงินต้นที่ลงทุนไป และอาจไม่เหมาะสำหรับทุกคน ผลการดำเนินงานในอดีตของผลิตภัณฑ์การลงทุนไม่ได้บ่งบอกถึงผลการดำเนินงานในอนาคต
Finsights อาจอนุญาตให้ผู้ลงโฆษณาหรือพันธมิตรบุคคลที่สามวางหรือส่งโฆษณาบนเว็บไซต์หรือแอปพลิเคชันมือถือของเราหรือส่วนใดส่วนหนึ่งของเว็บไซต์หรือแอปพลิเคชันมือถือ และอาจได้รับค่าตอบแทนจากการที่คุณมีปฏิสัมพันธ์กับโฆษณา
© ลิขสิทธิ์: FINSIGHTS MEDIA PTE. LTD. สงวนลิขสิทธิ์ทุกประการ