ซัมซุง, เอสเคไฮนิกซ์ ร่วงลงมากกว่า 4% ระหว่างวัน ขณะที่ ชางซิน เมโมรี ของจีนเปิดเผยความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี DRAM ยุคถัดไป
พอดแคสต์ AI
เมื่อวันที่ 12 ตุลาคม หุ้นซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์และเอสเคไฮนิกซ์ปรับตัวลดลงราว 4% หลัง ฉางซิน เมโมรี เทคโนโลยีส์ (CXMT) จากจีน ประกาศความคืบหน้าด้านสถาปัตยกรรม 4F² DRAM ยุคใหม่ พร้อมแผนเปิดตัวหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 ภายในปี 2026 ขณะที่ส่วนแบ่งรายได้ DRAM ทั่วโลกของ CXMT ในไตรมาส 2 ปี 2026 เพิ่มขึ้นแตะ 10% สะท้อนถึงการแข่งขันที่รุนแรงขึ้น ส่งผลให้นักลงทุนต้องประเมินแรงกดดันต่อผู้ผลิตรายเดิมอย่างซัมซุงและเอสเคไฮนิกซ์ใหม่อีกครั้ง แม้ความสำเร็จเชิงพาณิชย์ในอนาคตยังต้องติดตามต่อไป
TradingKey - เมื่อวันที่ 12 ตุลาคม หุ้นชิปหน่วยความจำของเกาหลีใต้ปรับตัวลดลงอย่างเห็นได้ชัดในระหว่างการซื้อขายระหว่างวัน ณ เวลาที่รายงานข่าว ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ (005930.KS) ลดลงมากถึงประมาณ 4.2% สู่ระดับ 252,500 วอน ขณะที่เอสเคไฮนิกซ์ (000660.KS) ลดลงมากถึงประมาณ 4.01% สู่ระดับ 1,624,000 วอน โดยฉางซิน เมโมรี เทคโนโลยีส์ (CXMT) ผู้ผลิต DRAM ของจีน ได้ประกาศความคืบหน้าในการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำยุคใหม่ ซึ่งยิ่งเพิ่มความสนใจของตลาดต่อการแข่งขันที่รุนแรงยิ่งขึ้นในอุตสาหกรรม DRAM ระดับโลก
กราฟราคาหุ้นรายวันของซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์, ที่มา: TradingView
ฉางซิน เมโมรี เทคโนโลยีส์ ระบุว่า บริษัทมีความคืบหน้าสำคัญในการวิจัยและพัฒนาสถาปัตยกรรมเซลล์หน่วยความจำ 4F² DRAM ยุคใหม่ เมื่อเปรียบเทียบกับสถาปัตยกรรม 6F² ที่ใช้ใน DRAM เชิงพาณิชย์ที่เป็นกระแสหลักในปัจจุบัน การออกแบบ 4F² สามารถผสานเซลล์หน่วยความจำได้มากขึ้นต่อพื้นที่ชิปหนึ่งหน่วย จึงช่วยเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำพร้อมทั้งปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงาน โดย CXMT ได้ใช้สถาปัตยกรรมทรานซิสเตอร์แบบ Vertical Surrounding Gate ที่พัฒนาขึ้นเองเพื่อลดขนาดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์และลดกระแสไฟรั่ว
เฉา กานอวี่ ประธานของ CXMT ระบุว่า บริษัทวางแผนที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ DDR5 RDIMM ยุคใหม่ที่อิงตามเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้องก่อนสิ้นปี 2026 ในปัจจุบัน ซัมซุงและเอสเคไฮนิกซ์ต่างก็กำลังพัฒนาเทคโนโลยี 4F² อยู่เช่นกัน โดยเอสเคไฮนิกซ์เคยเปิดเผยแผนงานวิจัยและพัฒนาที่เกี่ยวข้องมาก่อนหน้านี้ ขณะที่มีรายงานว่าซัมซุงวางแผนที่จะบรรลุการผลิตเชิงปริมาณของ DRAM ขนาดต่ำกว่า 10 นาโนเมตร โดยใช้สถาปัตยกรรมนี้ภายในปี 2028
ส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วโลกของ CXMT เติบโตอย่างรวดเร็วในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ข้อมูลจาก Counterpoint แสดงให้เห็นว่าในไตรมาสที่สองของปี 2026 ส่วนแบ่งรายได้ DRAM ทั่วโลกของ CXMT เพิ่มขึ้นเป็น 10% ซึ่งเพิ่มขึ้นอย่างมากจาก 4% ในช่วงเดียวกันของปีที่แล้ว ในช่วงเวลาเดียวกัน ซัมซุงมีส่วนแบ่งประมาณ 38% เอสเคไฮนิกซ์มีส่วนแบ่งประมาณ 25% และไมครอน (MU) มีส่วนแบ่งประมาณ 24%
อย่างไรก็ตาม CXMT ยังไม่ได้เปิดเผยข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคฉบับเต็มหรือกรอบเวลาการผลิตเชิงปริมาณที่แน่นอนสำหรับผลิตภัณฑ์ยุคใหม่ ดังนั้น การก้าวล้ำด้านการวิจัยและพัฒนาครั้งนี้จะสามารถเปลี่ยนเป็นคำสั่งซื้อเชิงพาณิชย์ขนาดใหญ่ในตลาดเซิร์ฟเวอร์ได้หรือไม่นั้นยังคงต้องจับตากันต่อไป ในระยะสั้น การขยายส่วนแบ่งตลาดอย่างต่อเนื่องของ CXMT และความก้าวหน้าในเทคโนโลยี DRAM ขั้นสูง กำลังกระตุ้นให้นักลงทุนประเมินแรงกดดันด้านการแข่งขันในอนาคตที่ผู้ผลิตหน่วยความจำรายเดิมอย่างซัมซุงและเอสเคไฮนิกซ์ต้องเผชิญใหม่อีกครั้ง
เนื้อหานี้ได้รับการแปลโดยปัญญาประดิษฐ์ (AI) และผ่านตรวจสอบโดยมนุษย์ มีไว้เพื่อการอ้างอิงและข้อมูลทั่วไปเท่านั้น ไม่ใช่การแนะนำการลงทุนแต่อย่างใด
บทความแนะนำ
ความคิดเห็น (0)
คลิกปุ่ม $ ป้อนสัญลักษณ์ และเลือกเพื่อเชื่อมโยงหุ้น, กองทุน ETF หรือสัญลักษณ์หลักทรัพย์อื่น ๆ