Se espera que el chip HBM4 de Samsungtroncomience a enviarse a finales de este mes

Se espera que Samsungtroninicie los envíos de su memoria de alta velocidad de próxima generación, HBM4, a finales de este mes. Según fuentes bien informadas de la industria, se espera que los envíos se realicen después del Año Nuevo Lunar.

Samsung tron se considera ampliamente como un chip revolucionario para la computación de IA, agregaron las fuentes.

La compañía planea comenzar a enviar HBM4 a Nvidia a partir de la tercera semana de febrero. Se espera que Nvidia utilice la memoria en su plataforma aceleradora de IA de próxima generación, Vera Rubin.

Samsung comenzará a enviar el HBM4 este mes

Esta decisión supone un cambio de rumbo para Samsung, que se había enfrentado a cuestionamientos y críticas sobre su competitividad en generaciones anteriores de HBM. Con el HBM4, Samsung busca reducir la brecha e incluso superar a su rival local SK Hynix , que se había posicionado inicialmente a la cabeza del sector gracias a la creciente demanda de centros de datos de IA.

Según un funcionario de la industria, la medida le da a Samsung la recuperación que tanto necesitaba en el sector tecnológico.

La fuente de la industria también mencionó que al ser el primero en producir en masa el HBM4 de mayor rendimiento, le da a la empresa una clara ventaja para darle forma al mercado de la manera que desea.

Se espera que Nvidia presente los aceleradores Vera Rubin con HBM4 en su conferencia anual, GTC 2026, prevista para finales de este mes. Samsung mencionó que el plazo de envío se cerró tras la coordinación con la hoja de ruta de productos de Nvidia y los calendarios de pruebas a nivel de sistema posteriores.

Además de la velocidad, el enfoque tecnológico de Samsung para el producto también es notable. Desde el principio, la compañía planeó superar los estándares establecidos por JEDEC, adoptando la primera combinación de la industria de un proceso DRAM de sexta generación de 10 nanómetros (1c) con una matriz lógica de 4 nanómetros producida a través de su propio límite.

Como resultado, el HBM4 de Samsung ofrece velocidades de transferencia de datos de aproximadamente 11,7 Gbps por segundo, lo que está muy por encima de los estándares de 8 Gbps de JEDEC.

La cifra también representa una mejora del 37% respecto al estándar y una ganancia del 22% respecto a la generación HMB3E anterior.

Según las fuentes, el ancho de banda de memoria por pila alcanza hasta 3 terabytes por segundo, aproximadamente 2,4 veces más que su predecesor. Además, cuenta con un diseño de apilamiento de 12 unidades que permite una capacidad de hasta 36 gigabytes.

Con su futura configuración de 16 GB de alto, la capacidad podría crecer hasta 48 GB, según muestran las estimaciones de la industria.

Se esperan más mejoras antes de la producción en masa

A pesar de utilizar procesos de última generación, Samsung ha podido lograr un rendimiento estable antes de la producción en masa, y se esperan más mejoras a medida que aumenta la producción, señalan fuentes de la industria.

Samsung también ha hablado sobre eficiencia energética, señalando que HBM4 está diseñado para maximizar el rendimiento computacional al tiempo que reduce el consumo de energía, ayudando a los centros de datos a reducir el uso de electricidad y los costos de refrigeración.

La compañía también prevé que su volumen de ventas de HBM este año se triplique con creces respecto al año pasado y ha decidido instalar líneas de producción adicionales en la Línea 4 de su Campus de Pyeongtaek para ampliar su capacidad. Se espera que la planta produzca entre 100.000 y 120.000 obleas al mes, dedicadas a la DRAM de 1c utilizada en los productos HBM4, según fuentes del sector.

El año pasado, Samsung ya había construido una capacidad mensual de alrededor de 60.000 a 70.000 obleas para el proceso DRAM 1c.

Con la expansión planificada, la producción total de 1c planificada para HBM4 podría aumentar a alrededor de 200.000 obleas por mes, lo que representa aproximadamente una cuarta parte de la capacidad total de producción de DRAM de Samsung de aproximadamente 780.000 obleas.

Se espera que el mercado de HBM4 esté dominado por Samsung y SK hynix, con la empresa estadounidense Micron Technology ya descartada. Según el tracde mercado SemiAnalysis, se espera que SK hynix controle aproximadamente el 70% del mercado de HBM4, mientras que Samsung representará el 30% restante.

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