SK Hynix cae más de un 5 % y se acerca a los 150 $ mientras las acciones de memoria amplían sus pérdidas
El sector de las memorias registró fuertes caídas el 13 de octubre, hora del Este, encabezado por el desplome superior al 5% de SK Hynix. Este retroceso refleja una rápida transición desde el optimismo hacia la recogida de beneficios y la aversión al riesgo. El anuncio de ChangXin Memory Technologies sobre avances en la arquitectura DRAM 4F² y la producción masiva de DDR5 para 2026 generó temores sobre futuras presiones en cuotas de mercado y márgenes. Sumado a los altos rendimientos de los bonos del Tesoro estadounidense, el sector enfrenta riesgos bajistas continuos.

TradingKey - Las acciones del sector de las memorias continúan cayendo mientras SK Hynix se desploma más de un 5%, arrastrando a la baja al sector de los semiconductores.
El 13 de octubre, hora del Este, el sector de las memorias en las bolsas de Estados Unidos amplió sus pérdidas, con las acciones del sector cayendo de forma generalizada en las operaciones previas a la apertura. Micron (MU) y Seagate Technology (STX) cayeron cerca de un 3%, SanDisk (SNDK) y Western Digital (WDC) retrocedieron alrededor de un 4%, mientras que SK Hynix encabezó los descensos con una caída cercana al 5%, alcanzando un mínimo de 151,5 dólares.
Gráfico de la cotización de SK Hynix, Fuente: TradingView
Esta caída colectiva en las acciones del sector de las memorias indica que el mercado ha pasado rápidamente de un optimismo extremo respecto al superciclo de memorias para IA a una fase de aversión al riesgo caracterizada por la recogida de beneficios en niveles altos y la reestructuración del panorama competitivo, impulsada por el impacto de los avances tecnológicos de sus competidores. El gigante chino de memorias DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció importantes avances tecnológicos en la arquitectura DRAM 4F² de próxima generación y anticipó la producción a gran escala de memorias DDR5 para servidores para finales de 2026.
Aunque el segmento HBM sigue siendo difícil de sustituir a corto plazo, las expectativas de una mayor oferta en los mercados de DRAM estándar y para servidores han desatado la preocupación entre los inversores institucionales por la erosión de la cuota de mercado futura y de las primas de los productos. Además, bajo la influencia del elevado rendimiento persistente de los bonos del Tesoro de Estados Unidos y la aversión al riesgo macroeconómico, las acciones de memoria podrían seguir bajo presión bajista.
Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.
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