CXMT avanza en la tecnología DRAM 4F² e intensifica la preocupación por la competencia: ¿sigue valiendo la pena mantener Samsung Electronics?

Actualmente, la memoria DRAM convencional utiliza en su mayoría una arquitectura 6F². La arquitectura 4F² puede comprimir el área de la celda de memoria a dos tercios de su tamaño original, lo que en teoría aumenta la densidad de almacenamiento, aunque el resultado real aún depende del diseño de los circuitos periféricos y del rendimiento de fabricación.

ChangXin Memory Technologies (CXMT) afirmó que su solución 4F² utiliza transistores de canal vertical de desarrollo propio y conecta la matriz de memoria a la lógica periférica mediante unión híbrida, con planes de aplicarla en primer lugar a los RDIMM DDR5 para servidores.

Sin embargo, lanzar productos a finales de 2026 no significa un suministro inmediato a gran escala. La memoria para servidores todavía debe superar las certificaciones de compatibilidad y fiabilidad de las plataformas de CPU, los fabricantes de sistemas y los clientes de centros de datos, y no hay datos públicos sobre rendimientos de fabricación, costes ni escala de producción en masa.

La presión a corto plazo proviene principalmente de las expectativas del mercado. Si CXMT logra ampliar su suministro de DRAM estándar para servidores, los precios de los productos y la cuota de mercado de Samsung en el mercado chino podrían verse bajo presión. El impacto en el negocio de HBM será limitado, ya que ambos difieren significativamente en empaquetado y cualificación de clientes.

Los resultados preliminares del tercer trimestre de Samsung Electronics mostraron unos ingresos consolidados de aproximadamente 195 billones de won y un beneficio operativo de unos 107,4 billones de won, alcanzando ambos máximos históricos. La empresa aún no ha desglosado los ingresos por divisiones, el beneficio neto ni la combinación de productos, y se espera que publique sus resultados financieros completos el 29 de octubre.

El aumento de los precios de las memorias y la demanda de servidores de IA siguen siendo los principales impulsores del crecimiento del beneficio. Samsung está avanzando en su arquitectura de DRAM 4F²; según informes de los medios, la empresa planea adoptar esta estructura en los productos DRAM posteriores de clase de 10 nm, con el objetivo de iniciar la producción a gran escala en 2028. El cronograma de CXMT es anterior, lo que podría obligar a Samsung a acelerar su I+D y la verificación para la producción a gran escala.

La cotización futura de las acciones de Samsung dependerá principalmente de si los productos de CXMT pueden entregarse según lo previsto, de sus tasas de rendimiento reales y del avance en la cualificación de los clientes, así como de si los ingresos de Samsung procedentes de HBM4 y DRAM para servidores pueden seguir creciendo.

Si la competencia permanece confinada al mercado chino de DRAM estándar, el impacto en la rentabilidad general de Samsung será limitado; sin embargo, si CXMT penetra aún más entre los clientes globales de servidores, la presión sobre los precios y la cuota de mercado aumentará de forma significativa.

Con base en el mínimo de 243.000 wones del 3 de septiembre y el máximo de 285.500 wones del 23 de septiembre, el nivel de retroceso de Fibonacci del 0,786 se sitúa en aproximadamente 252.100 wones. El precio de las acciones de Samsung Electronics ha caído por debajo de este nivel y del mínimo anterior de 243.000 wones, lo que debilita su impulso a corto plazo.

[Fuente: TradingView]

El precio actual de las acciones ronda los 231.000 wones, tras haber caído por debajo de la zona de observación de 238.000–240.000 wones. Si el gráfico diario continúa cerrando por debajo de los 230.000 wones, el siguiente nivel de soporte a vigilar es 220.000–225.000 wones.

El RSI de 14 días se sitúa en torno a 34, acercándose al umbral tradicional de sobreventa de 30, lo que indica que la presión vendedora sigue siendo elevada, aunque aún no se ha formado una señal clara de reversión.

Al alza, el precio de la acción primero necesita recuperar los 238.000–240.000 wones, seguido de prestar atención a la zona de resistencia de 249.500–252.000 wones. Si recupera los 252.000 wones, el siguiente rango objetivo a vigilar se sitúa en 259.000–264.000 wones; si se supera, el nivel de resistencia se ubica en 269.000–276.000 wones.

Actualmente, los 230.000 wones sirven como soporte clave a corto plazo, mientras que los 238.000–240.000 wones se han convertido en la principal resistencia ante cualquier rebote. Si no logra recuperar esta zona, el precio de la acción puede mantenerse débil; si rompe por debajo de los 230.000 wones, se requiere cautela ante una posible caída adicional hacia los 220.000–225.000 wones.

El valor a largo plazo de Samsung Electronics sigue dependiendo de la competitividad de sus memorias HBM, DRAM para servidores y nodos avanzados. La tecnología 4F² de CXMT ha aumentado la incertidumbre en el mercado de la memoria DRAM estándar, pero aún no ha demostrado que pueda sustituir rápidamente a los productos de gama alta de Samsung. Si Samsung logra aumentar los envíos y el rendimiento de HBM4, todavía hay margen para que la rentabilidad mejore.

De cara al futuro, entre los factores clave que los inversores deberán vigilar se incluyen los datos por segmentos del informe financiero completo del tercer trimestre, los avances en los pedidos de HBM4E y si los productos 4F² de CXMT se pueden entregar según lo previsto.

Este contenido ha sido traducido por IA y revisado por humanos. Se ofrece solo con fines de referencia e información general, y no constituye asesoramiento en materia de inversión.