Las acciones del sector de memorias sufren ventas mientras SanDisk se desploma un 7 %; CXMT presenta una arquitectura DRAM de última generación, pero Morningstar señala que la comercialización aún enfrenta grandes obstáculos

TradingKey - El 12 de octubre, hora del Este de Estados Unidos, las acciones del sector de las memorias cayeron de forma generalizada debido a la creciente preocupación del mercado ante la arquitectura DRAM de próxima generación presentada por el fabricante chino de DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) y sus planes de lanzar productos de memoria para servidores relacionados antes de fin de año, lo que acrecentó el temor a una mayor competencia en el mercado futuro de memorias para servidores.

Según datos de la firma de investigación de mercado Counterpoint, sobre la base de los ingresos globales de los proveedores de DRAM, ChangXin Technologies ostentó una cuota de mercado del 7% en el segundo trimestre de 2026, situándose en el cuarto lugar a nivel mundial. Si la tecnología se comercializa con éxito, se prevé que ChangXin reduzca sus costes unitarios de memoria, lo que ejercerá presión sobre la cuota de mercado y los márgenes de beneficio de los proveedores existentes.

Al cierre de esta edición, el Roundhill Memory ETF (DRAM) cayó un 4,61%, SanDisk (SNDK) retrocedió un 7,12%, SK Hynix (SKHY) cedió un 4,20%, Micron Technology (MU) perdió un 4,70%, Seagate Technology (STX) bajó un 3,18% y Western Digital (WDC) cayó un 2,44%.

Precio de las acciones del ETF de DRAM, Fuente: TradingView

El presidente de ChangXin Memory Technologies, Kanyu Cao, declaró el 10 de octubre que la empresa prevé lanzar antes de fin de año productos RDIMM DDR5 de próxima generación equipados con la arquitectura 4F². La relevancia comercial de este avance radica principalmente en la reducción del área de la celda de memoria. En la actualidad, la DRAM convencional utiliza la arquitectura 6F², donde F representa el tamaño mínimo de característica en el proceso. Bajo un mismo valor de F, la transición de 6F² a 4F² puede reducir teóricamente la superficie de una celda de memoria individual en aproximadamente un tercio. Jing Jie Yu, analista de Morningstar, también señaló que la nueva estructura anunciada por ChangXin reduce la superficie de la celda de memoria cerca de un 30%.

Para los fabricantes de DRAM, la reducción de la superficie de la celda de memoria debería incrementar el rendimiento de chips de memoria por oblea. Si los rendimientos de la producción en masa se mantienen estables y los costes adicionales del proceso no anulan las ganancias derivadas de la mayor densidad, se espera que el coste por bit disminuya. Por lo tanto, ChangXin podría obtener una mayor flexibilidad en la fijación de precios o mejorar sus márgenes de beneficio manteniendo el mismo precio de venta.

Una innovación clave introducida en esta ocasión por ChangXin es la arquitectura de transistores de puerta envolvente vertical (VSG, por sus siglas en inglés). Al permitir que la puerta controle la corriente eléctrica con mayor eficacia, esta estructura busca reducir las corrientes de fuga y los efectos de canal corto, al tiempo que el diseño vertical contribuye a disminuir el área planar ocupada por los transistores. Esto ofrece una nueva vía tecnológica para que la tecnología DRAM siga aumentando su densidad a medida que el escalado tradicional resulta cada vez más complejo.

Cabe señalar que aún existe una brecha considerable entre los avances técnicos y una comercialización exitosa mediante la producción en masa. Los analistas de Morningstar consideran que para ChangXin podría ser "extremadamente difícil" comercializar esta estructura, siendo la consistencia durante la producción a gran escala uno de los principales desafíos. El rendimiento alcanzado durante las fases experimentales o de muestra debe replicarse de manera estable en la producción continua para traducirse en productos cualificados y beneficios reales.

Por tanto, aunque el lanzamiento de productos antes de fin de año es un hito relevante, no se puede deducir aún que ChangXin vaya a lograr un suministro a gran escala y de bajo coste para ese momento. El formato RDIMM es un módulo de memoria ampliamente utilizado en servidores, cuyos requisitos operativos abarcan no solo la velocidad, sino también la estabilidad continua a largo plazo, la fiabilidad y la compatibilidad con plataformas de servidores. Los gigantes internacionales de las memorias han acumulado sólidas ventajas de ingeniería y de cartera de clientes en este ámbito; para ampliar su cuota de mercado, ChangXin deberá superar el doble obstáculo de la fabricación y la cualificación por parte de los clientes.

Para los fabricantes de DRAM actuales, la presión potencial proviene tanto del lado de los costes como del de la oferta. Si ChangXin alcanza una producción en masa estable y amplía la oferta, unos costes unitarios más bajos podrían ayudarle a adjudicarse pedidos, mientras que la incorporación de una oferta efectiva también podría presionar a la baja los precios de la DRAM.

Por otro lado, evaluar el impacto real del anuncio de ChangXin en las acciones del sector de memorias exige examinar la combinación de productos de cada fabricante. La competencia potencial que afronta la memoria DDR5 para servidores no puede equipararse de manera directa a un impacto equivalente en los negocios de HBM. De cara al futuro, lo que realmente determinará la presión competitiva serán los rendimientos de la producción en masa de ChangXin, la cualificación de sus clientes y la escala real del suministro.