SK Hynix estaría considerando los chips base HBM4E de Intel, buscando reducir su dependencia de TSMC

Este artículo ha sido actualizado posteriormente para reflejar los cambios realizados por Korea Herald.

TradingKey - Según un informe publicado por Korea Herald, SK Hynix (SKHY) está considerando asociarse con el negocio de fundición de Intel (INTC) para asignarle parte de la producción de los base dies de su HBM4E de próxima generación, con el objetivo de diversificar sus fuentes de suministro. El plan correspondiente continúa actualmente en fase de evaluación y ambas partes aún no han definido el alcance concreto ni el calendario de una posible colaboración.

El base die de HBM se encuentra en la parte inferior de la estructura multicapa de chips DRAM. Su función principal es conectar la memoria HBM con procesadores como las GPU, además de encargarse de la transmisión de datos y de determinadas funciones de control. A medida que continúa aumentando el rendimiento de la HBM, la importancia del base die también se ha incrementado significativamente. En el caso de HBM3E, SK Hynix utilizaba principalmente procesos internos para fabricar el base die, pero a partir de HBM4 la compañía comenzó a recurrir a los procesos lógicos avanzados de TSMC (TSM).

Actualmente, el base die utilizado en los productos HBM4 de SK Hynix se fabrica con un proceso de clase 12 nm de TSMC. Medios surcoreanos, citando estimaciones del sector, señalaron que el coste de los base dies de HBM4 fabricados por TSMC podría ser entre tres y cuatro veces superior al de los dies DRAM principales. A medida que HBM4E entra en la fase de preparación para la producción en masa, SK Hynix está buscando más alternativas de fundición para reducir los costes de fabricación y mejorar la estabilidad de su cadena de suministro.

Según los informes, SK Hynix podría utilizar simultáneamente a TSMC e Intel como proveedores para producir base dies a partir de HBM4E, en lugar de trasladar completamente la producción de TSMC a Intel. Además, la compañía también está evaluando las tecnologías avanzadas de encapsulado de ambas empresas, entre ellas CoWoS-S y CoWoS-L de TSMC, así como EMIB de Intel.

Sin embargo, en respuesta al informe publicado por Korea Herald, SK Hynix señaló que no podía confirmar los detalles específicos de su hoja de ruta tecnológica. “No se ha llevado a cabo ninguna conversación sobre la externalización a Intel de la producción de los base dies de HBM4E”, declaró la compañía a Korea Herald.

SK Hynix también ha acelerado el desarrollo de sus productos HBM4E. En junio de este año, la compañía anunció que había enviado muestras de HBM4E de 12 capas a clientes clave. El producto alcanza una velocidad máxima de transferencia de datos de 16 Gbps y mejora la eficiencia energética en más de un 20% frente a la generación anterior. Al mismo tiempo, la compañía prevé avanzar posteriormente hacia la producción en masa en colaboración con sus clientes.

Si finalmente se alcanza un acuerdo de colaboración, supondría un avance significativo para el negocio de fundición de Intel en su entrada en la cadena de suministro de HBM de próxima generación. Asimismo, implicaría que la cadena de suministro de HBM de SK Hynix podría evolucionar gradualmente desde su actual dependencia principal de TSMC hacia un modelo con múltiples proveedores.

No obstante, hasta el momento SK Hynix e Intel no han anunciado oficialmente ningún acuerdo de fundición relacionado con los base dies de HBM4E, y los detalles específicos de producción todavía están pendientes de confirmación.